s-3400n مجهر مسح بالإلكترون

قابلة للتفاوضتحديث07/29

نموذج

طبيعة المصنع: المنتجين

فئة المنتج

مكان المنشأ

استشارة عبر الإنترنت

نظرة عامة

وصف المشروع ذاته القرار 3.0nm ( 30 كيلو فولت ) ، فراغ عالية وضع / 10nm ( 3KV ) ، وارتفاع فراغ وضع مرض جنون البقر القرار 4.0nm ( 30 كيلو فولت ) ، وانخفاض فراغ وضع التضخيم .

تفاصيل المنتج

البارامترات ذات الصلة :

المشاريع	وصف
س القرار	3.0nm (30kV)， وضع فراغ عالية / 10nm ( 3KV ) ، وضع فراغ عالية
مرض جنون البقر القرار	4.0nm (30kV)， وضع فراغ منخفضة
التكبير	x5 ~ x300,000
تسريع الجهد	0.3 ~ 30 kV
انخفاض فراغ مجموعة	6 ~ 270 Pa
أقصى حجم العينة	قطر
عينة الجدول	النوع الأول النوع الثاني
X	0 ~ 80mm 0 ~ 100mm
Y	0 ~ 40mm 0 ~ 50mm
Z	5 ~ 35mm 5 ~ 65mm
R	360o 360o
T	-20o~ +90o -20o ~ +90o
T	-20o~ +90o -20o ~ +90o
أقصى ارتفاع العينة	35mm (WD=10mm) 80mm (WD=10mm)
نوع القيادة	دليل محرك خمسة محاور
خيوط	قبل الانحياز خيوط التنغستن
عدسة الهدف ضوء بار	منقول 4-hole عدسة الهدف ضوء بار
بندقية التحيز	نسبة ثابتة التحيز ، التحيز التلقائي دليل 4
كاشف	حساسية عالية أشباه الموصلات كاشف الكتروني ارتداد مبعثر
تحليل الموقع	WD=10mm, TOA=35o
السيطرة	الماوس ، لوحة المفاتيح ، مقبض يدوي
ضبط تلقائي	التلقائي خيوط التشبع ، التلقائي 4 التحيز ، بندقية التلقائي محاذاة ، التلقائي شعاع الإعداد ، التلقائي إغلاق المحور ، التركيز التلقائي و تبديد الاستجماتيزم ، التلقائي السطوع والتباين

وصف تفصيلي

1 . s-3400n قوية التلقائي وظيفة ، بما في ذلك خيوط التلقائي التشبع ، 4 التحيز ، بندقية التلقائي المحاذاة ، التلقائي شعاع الإعداد ،
التلقائي محور التركيز التلقائي ، والقضاء على الاستجماتيزم ، السطوع التلقائي على النقيض من ذلك .
2 . ضمان 10nm القرار في 3KV انخفاض تسريع الجهد .
3 - نوع جديد من 5-partition حساسة للغاية semiconductive ارتداد مبعثر التحقيق .
4 . s-3400n الثاني لديه خمسة محور المحرك ، زاوية الميل يمكن أن تصل إلى - 20 درجة ~ + 90 درجة ، عينة يمكن أن تصل إلى 80 ملم .
5 . EDX ، WDX و EBSD يمكن تركيبها في وقت واحد في تحليل عينة بن .
6 . فراغ نظام استخدام التوربينات مضخة الجزيئية ، نظيفة وفعالة

منتج مماثل يوصي