-
البريد الإلكتروني
cindy_yst@instonetech.com
-
الهاتف
18600717106
-
العنوان
109-878 مبنى رقم 20 ، رقم 9 ، Antai شارع المطار ، حى شونيى ، بكين
Beijing Yingsitao Technology Co., Ltd
الكشف عن التكنولوجيا الأساسية : تحليل مبدأ العمل و تصميم فريد من سمات ايون الاخرق الصك
التاريخ:2025-10-18اقرأ:2
ايون الاخرق الصكانها تستخدم على نطاق واسع في مجال أشباه الموصلات رقاقة ، الأجهزة البصرية ، نانو المواد . فهم مبدأ العمل و خصائص التصميم هو المفتاح لتحسين خصائص الفيلم .
مبدأ العمل :
جوهر ايون الاخرق هو نقل الزخم . الجهاز ينتج البلازما ( تحتوي على كمية كبيرة من ع ⁺ الأيونات ) عن طريق تفريغ الغاز ( عادة الأرجون ، نقاء أكثر من 99.999 ٪ ) ، ع ⁺ الأيونات تسريع القصف على سطح الهدف ( على سبيل المثال ، معدن التيتانيوم ، وأكسيد السيراميك ) في إطار العمل من الحقل الكهربائي ذات الجهد العالي ( عادة - 300V - 1000V ) . الأيونات في تصادم مرن مع الهدف الذرات ، نقل الطاقة الحركية إلى الهدف الذرات ( واحد ع ⁺ الأيونات يمكن نقل الطاقة من حوالي 10-100ev ) ، عندما الطاقة التي تم الحصول عليها من الهدف الذرات تتجاوز الطاقة الملزمة المحيطة الذرات ( عادة 5-20ev ) سوف ينفث من سطح الهدف . بعد الاخرق الذرات تسارع من خلال منطقة البلازما ، الذرات المودعة على سطح الركيزة ( مثل رقاقة السيليكون ، الزجاج ) مع بعض الطاقة ( عادة 1-10ev ) على شكل كثافة موحدة رقيقة الأفلام .
أما بالنسبة للأهداف المغناطيسية ( مثل الحديد والكوبالت ) ، المغنطرون الاخرق التكنولوجيا اللازمة - مغناطيس دائم ( تشكيل حقل مغناطيسي مغلق ) مرتبة على الجزء الخلفي من الهدف ، البلازما مقيدة بالقرب من سطح الهدف ( كثافة البلازما بنسبة 10-100 مرات ) ، وبالتالي تقليل الجهد الاخرق ( من 1000 إلى 300-500v ) ، والحد من الضرر الحراري الركيزة ، وزيادة معدل الترسيب ( تصل إلى عدة ميكرون في الساعة ) .
تصميم فريد سمات :
1 - تصميم اقتران بين الهدف و المجال المغناطيسي : تصميم المغناطيس المغنطرون الاخرق ( على سبيل المثال ، خاتم المغناطيس أو القطب المغناطيسي التكميلية ) يؤثر بشكل مباشر على توزيع البلازما . على سبيل المثال ، قوة المجال المغناطيسي متوازن المغنطرون الاخرق حوالي 0.01-0.1t على سطح الهدف ، مما يجعل تركيز البلازما في المنطقة الوسطى من الهدف ، وضمان التوحيد الاخرق ( الانحراف أقل من ± 5 ٪ ) ؛ غير متوازن المغنطرون الاخرق يؤدي إلى الركيزة البلازما من خلال تعزيز المجال المغناطيسي على حافة الهدف ، مما يزيد من قوة الترابط بين الفيلم و الركيزة ( التصاق > 10 ن / سم ) .
2 . multitarget المشارك الاخرق النظام : من أجل إعداد فيلم مركب ( على سبيل المثال ، القصدير ، ايتو ) ، عدة أهداف ( على سبيل المثال ، التيتانيوم والنيتروجين الإنديوم والقصدير والقصدير الهدف الهدف + الأكسجين ) يتم تركيبها على المعدات ، من خلال التحكم بشكل مستقل الاخرق السلطة ( الدقة ± 1 وات ) ، تكوين الفيلم يمكن تعديلها بدقة ( على سبيل المثال ، نسبة في ₂ س ₂ سنو ₂ في ايتو هو 9 : 1 ، والمقاومة يمكن أن تنخفض إلى 10 ̿ ̿ سم .
3 . فراغ الغاز وحدة التحكم : استخدام مضخة الجزيئية ( الحد من درجة فراغ أقل من 10 ⁶ با ) و كتلة تحكم تدفق ( MFC ، تدفق دقة ± 0.5sccm ) بدقة ضبط الضغط الجزئي ( عادة 0.1-10pa ) و نسبة ( على سبيل المثال ، نسبة الأرجون الأكسجين من 1 : 9 إلى 3 : 7 ) للسيطرة على استوكيومتري و المجهرية ( على سبيل المثال ، مرحلة التحول من مرحلة ألفا من الألومينا فيلم جاما ) .
4 - الركيزة التدفئة والتحيز النظام : الركيزة التدفئة الجدول ( درجة الحرارة تتراوح بين درجة حرارة الغرفة - 800 ℃ ) يمكن التحكم في درجة crystallinity ( على سبيل المثال ، غير متبلور السليكون رقيقة بعد الصلب في 500 ℃ إلى الكريستالات ، الناقل التنقل بنسبة 10 مرات ) ؛ الركيزة التحيز ( - 50V - 500V ) يسرع القصف الأيوني من خلال المجال الكهربائي ، وتعزيز الاكتناز ( المسامية أقل من 1 ٪ ) من الفيلم ، وتحسين القدرة على تغطية خطوة ( ترسب على سطح المجهرية المعقدة ) .
ايون الاخرق الصكمن خلال آلية علمية ودقيقة التصميم الهندسي " القصف الأيوني ، والإفراج عن ترسب الذرية اتجاهي " ، رقيقة الأفلام التي تم إعدادها من عينة صغيرة في المختبر على نطاق واسع الصناعية ركائز .