تأثير شعاع الالكترون التبخر طلاء على قوة كيميائيا تشديد الزجاج لوحة الغلاف هو مشكلة معقدة تنطوي على علم المواد ، الخواص الميكانيكية واجهة الهندسة . وفيما يلي تحليل منهجي من جوانب آلية العمل ، والبيانات التجريبية ، عملية التحسين ، الخ .

1. آلية عمل شعاع الالكترون التبخر طلاء الزجاج قوة

(1)مجال الضغط السطحي التعمير

الخصائص الكيميائية تشديد الزجاج :عبر-لا؟التبادل الأيوني تشكيل سطح طبقة إجهاد الانضغاط500-800MPaعمق30-100 ميكروم) هو المصدر الرئيسي للقوة .

تأثير طلاء مقدمة :

الإجهاد الحراري : ارتفاع درجة الحرارة المحلية في شعاع الالكترون التبخر1500ج ) قد يؤدي إلى السطح الصلب الصغيرة ، والحد من الإجهاد ضاغطة10-15%منتدى

إجهاد طبيعيأوه؟أفلام رقيقة من الصلب عادة ما تظهر200-400MPaالتوتر والإجهاد التدرج تشكلت بعد فرضه مع الزجاج ضغط الإجهاد .

(2)إصلاح الخلل وإدخال

تأثير إيجابيالطلاء يمكن أن تملأ سطح microcracks ( على سبيل المثال100 نانومترالغريفيثالكراك ) ، ومنع نمو الكراك ، رفعويبولمعامل .

البيانات التجريبية : الطلاء100 نانومتر أل؟ أوه؟كسر صلابة الزجاجك كرفع تقريبا8%من0.75→0.81 MPa · م1 / 2. لا

الآثار السلبيةشعاع الالكترون القصف قد يؤدي إلى عيوب جديدة ، مثل عدم سد الشواغر الأكسجين ، وخاصة في5nm / ثانيةعندما .

2. العوامل الرئيسية التي تؤثر على البيانات التجريبية

(1)اختيار المواد الفيلم

(2)تأثير البارامترات التكنولوجية

درجة حرارة الركيزة :

ص150تأثير درجة الحرارة على طبقة الصلب لا يكاد يذكر .300℃）。

س200سوف يؤديكيه؟عكس انتشار فقدان الضغط يمكن أن تصل إلى30%منتدى

معدل الترسيب

سرعة منخفضة )1-2nm / ثانيةتشكيل كثافة الفيلم ، وتعزيز قوة كبيرة .

سرعة عالية5nm / ثانيةمن السهل أن تنتج بلورات عمودية ، والحد من قوة الترابط البيني .

(3)اختبار قوة المقارنة

طاهرأربع نقاط قوة الانحناء اختبار البيانات ( الوحدة :ميجا باباو

غير مطلي= 850س 50

أوه؟طلاء= 920 ± 40

تيو؟طلاء= 780 ± 60

3. عملية التحسين

(1)انخفاض درجة حرارة ترسيب تقنية

استراتيجية المسح الضوئي شعاع الالكترون :باستخدام المسح اقتسام الوقت )دورة العملص30%) خفض الحمل الحراري ، وارتفاع درجة حرارة الركيزة التحكم في80℃。

مساعدة البلازماعرضECRالبلازما ( الطاقة )500 واطتعزيز التكثيف في درجة حرارة منخفضة ، والحد من تأثير الحرارة .

(2)واجهة المشروع

GTE مصمم من طرف :أولا إيداع10 نانومتر سيو؟طبقة عازلة ( معامل التمدد الحراري الانتقال ) ، إعادة طلاءأوه؟، يمكن أن تجعل واجهة الرابطة يمكن أن تعزز إلى >5J / م2منتدى

بعد العلاج الصلب :
250℃2 ساعةفراغ الصلب الإصدار30-40%وفي الوقت نفسه ، لا ضرر من تشديد طبقة .

(3)على الخط رصد

الليزر ellipsometry : في الوقت الحقيقي رصد غشاء التوتر ( الحساسية )± 10MPa. لا

سطح الموجة الصوتية الكشف : تقييم عمق الاختلاف في تشديد طبقة ( الدقة )± 2 ميكروم. لا

4. تطبيق نموذجي

(1)الهاتف الذكي لوحة الغلاف

الطلب
0.5 ممكيميائيا تشديد الزجاج )CSس600 ميجا باسطلاء مضاد للبصمات على الفيلم )AF+Al؟ أوه؟. لا

البرامج :

شعاع الالكترون التبخر50 نانومتر أل؟ أوه؟( أ )1.5nm / ثانيةدرجة حرارة الركيزة120℃）

شعاع ايون بمساعدة ترسيب )IADو200eV أر؟و

النتائج

تعزيز قوة12%من620→695MPaو

قلم رصاص صلابة تصل إلى9 ساعة

(2)على متن عرض لوحة الغلاف

التحدياتمتطلبات مقاومة تأثير الحجر الرملي )الايزو 20567-1. لا

حلولاعتمادأوه؟ سيو؟فيلم متعدد الطبقات ( مجموع سمك )200 نانومتر) , مصمم من طرف SCR :

طبقة واحدةأوه؟س+ 300MPaإجهاد الشد

طبقة واحدةسيو؟س-150MPaضغط الإجهاد

صافي الإجهاد بعد الجمع بين الطبقات+ 50MPa

5. فشل التحليل والتحسين

6. اتجاه التنمية في المستقبل

(1)انخفاض الحمل الحراري ترسب

التبخر بمساعدة الليزر شعاع الالكترون :مستعمل1064 نانومترالليزر التدفئة المحلية المستهدفة ، والحد من متطلبات الطاقة شعاع الالكترون .

تقنية الشعاع البارد :باستخدام مصدر الإلكترون مجال الانبعاثات500℃）。

(2)ذكي السيطرة على الإجهاد

آلة التعلم الأمثل :التنبؤ الأمثل مزيج من الأفلام على أساس البيانات التاريخيةأوه؟ نعم؟ ن؟نسبة

نظام طلاء التكيف :ترسب المعلمات ( حلقة مغلقة السيطرة ) يتم تعديلها من قبل في الوقت الحقيقي الإجهاد التغذية المرتدة .

(3)وظيفة معقدة

مضاد للجراثيمأغمخدرأوه؟سشارك في التبخرأغالهدف ( المحتوى )3 في المائة) ، وتحقيق معدل الجراثيم في حين رفع كثافة > >9%منتدى

الاستنتاج

تأثير شعاع الالكترون التبخر طلاء على قوة كيميائيا خفف من الزجاج غطاء لوحة ثنائية الاتجاه التنظيم :

رفع إلى الأمام : يمكن أن يتحقق من خلال إصلاح الخلل وتعزيز السطح10-20%نمو القوة ;

السيطرة على المخاطر : إدارة صارمة من تأثير الحرارة150الإجهاد مطابقة ( صافي إجهاد الشد من الفيلم )200MPa. لا

سوف تركز الاختراقات التكنولوجية المستقبلية على :سيكلوفوسفاميددرجة حرارة منخفضة جدا عملية الترسيب50℃）；الثانيفيلم طبقة-تصميم التعاونية من تشديد طبقة ;ثالثاعلى الخط اختبار غير تدميري التكنولوجيا .