ثنائية الاتجاه عتبة التبديل )أوتسجهازهو عنصر أساسي من عناصر الذاكرة التي تتطور من ثنائي الأبعاد إلى ثلاثي الأبعاد الهندسة المعمارية . من بينها ، جنرال إلكتريك ذاته الكبريت رقيقة الأفلام هي واحدة من الأكثر إثارة للاهتمام بسبب التبديل ممتازة الخصائص .OTS نظام الموادومع ذلك ، فإن هيكل الفرقة التكافؤ و البنية الذرية من هذا النظام لم يتم الكشف عنها بالكامل في مختلف المناطق المكونة لها ، ولا سيما في المناطق الغنية السيلينيوم والجرمانيوم المناطق . من أجل التغلب على هذه المشكلة ، البروفيسور تشو مين فريق من جامعة جياوتونغ فى شانغهاىسيمر فيشر تكنولوجيزالتعاون فيما بين بلدان الجنوبسيميرفيل escalab QXI إكسبس منصةفي هذه الورقة ، الالكترونية هيكل السندات توزيع جنرال الكتريك سي ₁ ₋ ₋ ( س = 0-100 ٪ ) في مجموعة كاملة تم دراستها . نتائج ذات صلة "تحليل الطيف الإلكتروني بالأشعة السينية لـ Ge-Se Chalcogenides" في العنوان .

في هذه الورقة ، فإننا بناء ثلاثي الأبعاد الأساسية على مستوى جنرال الكتريك هيكل الفرقة التكافؤ من خلال ارتفاع القرار XPS ، وإنشاء علاقة كمية بين جنرال الكتريك المحتوى ، تنسيق التحول البيئي وإعادة توزيع السندات . وتظهر النتائج أن هناك ثلاثة أنواع من المناطق الهيكلية في جنرال الكتريك ذاته النظام : جنرال الكتريك : سي هيكل التنسيق في المنطقة الغنية السيلينيوم ( س < 40 ٪ ) ؛ جنرال الكتريك جنرال الكتريك الغنية في المنطقة الانتقالية ( س = 40-60 ٪ ) أظهرت أن 3 : 3 التنسيق والتنافس مع جنرال الكتريك جنرال الكتريك homopolar السندات . جنرال الكتريك ( س ≥ 70 ٪ ) أظهرت أن أكثر من 72 ٪ من السندات هي homopolar جنرال الكتريك جنرال الكتريك السندات .

وبالإضافة إلى ذلك ، فإن تفكك سلسلة السيلينيوم ، وتشكيل أنواع مختلفة من جنرال الكتريك جنرال الكتريك السندات و homopolar السندات كما تم العثور عليها من قبل عصابة التكافؤ التحليل الطيفي . هذه النتائج تثبت العلاقة بين التركيب و التركيب الكيميائي في جنرال الكتريك سي ثيويدات ، مما يدل على أن خصائص OTS يمكن تحسينها من خلال عيب بوساطة هندسة السندات من خلال السيطرة على جنرال الكتريك المنشطات .

هذا البحث ليس فقط تعميق فهم البنية الالكترونية جنرال الكتريك ذاتها الكبريت المواد ، ولكن أيضا يوفر طريقة جديدة لتصميم مواد عالية الأداء OTS وتطوير تكنولوجيا التخزين عالية الكثافة في المستقبل .

الشكل 1 - سلسلة جنرال الكتريك_xسي_1-xتطور ge3d مستوى الطاقة الأساسية مع مكونات الفيلم

الشكل 2 - تحليل سلسلة جنرال الكتريك XPS التكافؤ الطيف ._xسي_1-xإلكترونات التكافؤ هيكل رقيقة

الشكل 3 مقارنة XPS التكافؤ أطياف السيلينيوم والجرمانيوم الغنية عينات

سوميرفيلدescalab QXI XPS نظاموقد لعبت دورا هاما في هذه الدراسة ، وارتفاع القرار ، وحساسية عالية القدرة على الكشف عن المستوى الذري التحليل الهيكلي يوفر الدعم التقني الموثوق بها . هذه النتائج ليس فقط تعميق فهمنا تطور البنية الالكترونية جنرال الكتريك ذاته ، ولكن أيضا توفير طريقة جديدة لتصميم عالية الأداء مواد الذاكرة في المستقبل . سيمر سوف تستمر في تكريس نفسها لتوفير الأدوات المتطورة والحلول للباحثين العلميين للمساعدة في تحقيق اختراقات مستمرة في البحث العلمي .