مبدأ التقنية :

مصدر الإلكترون التكنولوجيا
من خلال اعتماد شوتكي ميدان الانبعاثات أو الحقل الحراري بندقية الإلكترون ، الإلكترونات المعدنية يمكن فصلها عن عبودية من خلال حقل كهربائي قوي ، وبالتالي تشكيل شعاع الإلكترون مع سطوع عالية وعالية التماسك . شعاع بقعة قطرها أقل من 1 نانومتر ، مما يحسن إلى حد كبير من دقة التصوير . . .

نظام البصريات الالكترونية
شعاع الالكترون يمر من خلال عدسة الكهرومغناطيسية التركيز والانحراف على شكل مسبار صغير ، سطح العينة الممسوحة ضوئيا واحدا تلو الآخر ، مما أسفر عن الإلكترونات الثانوية ، ارتداد مبعثر الإلكترونات وغيرها من الإشارات . الإشارات التي تم جمعها ومعالجتها من قبل كاشف لتوليد الصور التي تعكس شكل وتكوين العينة .

نظام فراغ
الحفاظ على بيئة فراغ عالية ، ومنع شعاع الالكترون نثر عينة من التلوث ، وضمان استقرار إشارة . بعض النماذج التي تدعم وضع فراغ منخفضة ، ويمكن ملاحظة مباشرة من المياه أو غير موصل العينات .

سطح المكتب ميدان الانبعاثات المجهر الإلكترونيمعلمات الأداء :

القرار : القرار من الإلكترونات الثانوية يمكن أن تصل إلى 1.0nm ، بعض النماذج يمكن أن تبقي على 1.4nm القرار تحت الجهد المنخفض ( 1 كيلو فولت ) ، ومناسبة لمراقبة العزل أو شعاع الالكترون من العينات الحساسة .

التكبير : يمكن أن تصل إلى 1 مليون مرة ، تغطي الاحتياجات التحليلية من macromorphology النانو .

تسريع الجهد : مجموعة عادة 0.2-30kv ، ودعم الجهد المنخفض التصوير للحد من الأضرار التي لحقت العينة .

الكاشف : معيار للكشف عن الإلكترون الثانوي ( SE ) ، ارتداد مبعثر للكشف عن الإلكترون ( BSE ) والطاقة مطياف ( eds ) .

عينة الجدول : دعم حجم كبير من العينات ، بعض النماذج مجهزة إمالة التناوب وظيفة ، لتحقيق متعدد زاوية المراقبة .